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DBハイテック、「エレクトロニカ・インディア」に初出展…インド市場攻略を加速

9月16~18日、インドのベンガルールで開催 BCD・SiC・GaNなどの電力半導体プロセスの紹介 1200V SiCの検証を完了…650V GaNは年内に検証 現地のファブレス企業やファウンドリ事業との協力拡大

JAEMIN SONG
2026-08-20 09:23:34
[イーデイリーJAEMIN SONG 記者] DBハイテックが、南アジアを代表する電子産業展示会に初めて参加し、インドのファウンドリ市場への進出に乗り出します。
DBハイテックの富川キャンパス。(写真=DBハイテック)

DBハイテックは、9月16日から18日(現地時間)までインドのバンガロールで開催される「エレクトロニカ・インディア2026」に参加すると、20日に明らかにしました。

エレクトロニカ・インディアは、「インドのシリコンバレー」と呼ばれるバンガロールで開催される電子産業の展示会です。電子部品やシステム、アプリケーション、および関連ソリューションを網羅しています。

DBハイテックは、今回の展示会において、主力製品である複合電圧素子(BCD)をはじめ、次世代パワー半導体である炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの主要なプロセス技術と開発状況を紹介いたします。現地のファブレス企業を中心に、新規顧客の開拓も計画しています。

インドは、政府の半導体産業育成政策と投資を背景に、関連エコシステムを拡大しています。半導体設計サービスを中心に成長した現地企業が、独自の半導体製品開発へと事業領域を広げていることから、ファウンドリ需要も増加すると見込まれています。

DBハイテックは、展示会においてパワー半導体プロセス技術を重点的に披露します。代表的なプロセスであるBCDは、累計ウェーハ出荷量900万枚を記録しました。同社は、蓄積された量産経験とプロセスの競争力を基に、自動車や産業用など、高付加価値の応用分野を拡大しています。

次世代パワー半導体分野では、SiCおよびGaNプロセスの開発状況および量産計画を公開します。DBハイテックは最近、1200ボルト(V)SiC MOSFETプロセスの検証を完了しており、650V GaNプロセスについては今年12月までに検証を完了する予定です。現在、戦略的顧客を対象に、当該プロセスを活用した製品の性能評価も進めています。

X線やグローバルシャッター、単一光子検出器(SPAD)などの特化型イメージセンサー(CIS)、混合信号・無線周波数(Mixed-Signal/RF)プロセス技術も紹介します。これを通じて、現地の顧客基盤と事業協力を拡大する方針です。

DBハイテックの関係者は、「インドは現地のファブレス企業や半導体エコシステムが急速に成長しており、新たなビジネスチャンスが拡大している市場です」とし、「現地のお客様との接点を広げ、パワー半導体および特化プロセスの競争力を基盤に、新規のビジネスチャンスを発掘していきます」と述べました。


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