[イーデイリーChoi Oh-hyun 記者] SKハイニックスは、2028年にDRAM量産プロセスへ、次世代露光技術である高開口数極紫外線（High-NA EUV）の適用を推進する計画です。グローバル露光装置メーカーであるASMLや台湾のTSMCなどが主導する「大型マスクコンソーシアム」への参加も検討しており、次世代微細プロセス技術の確保を加速させています。

8日、ロイター通信によると、SKハイニックスは声明を通じて、2028年に次世代の最先端露光装置であるHigh-NA EUVをDRAMの量産に適用することを目標としていると明らかにしました。また、12インチフォトマスクの導入に関連するコンソーシアムへの参加も検討していると付け加えました。

High-NA EUVは、従来のEUVよりも高い開口数（NA）を適用し、解像度を高めた次世代露光技術です。従来のEUV装置のNAが0.33であるのに対し、High-NA EUVは0.55と高くなり、より微細な回路パターンを実現できます。次世代半導体において回路がさらに微細化されるにつれ、製品の性能と生産性を一段階引き上げる中核技術として挙げられています。

SKハイニックスは、2021年に10ナノ級第4世代（1a）DRAMの量産にEUVを初めて導入して以来、最先端DRAMへと適用範囲を拡大してきました。今後、DRAMの微細化がさらに進むにつれ、従来のEUVだけでは微細回路を実現することの限界が大きくなるため、High-NA EUVを活用してプロセスの複雑さを低減し、次世代メモリの開発スピードを加速させるという構想です。

SKハイニックスは、12インチのフォトマスクで業界標準を変革しようとするコンソーシアムへの参加も検討中です。ASMLなどのグローバル企業は、これまで露光工程で使用してきた6インチのフォトマスクを12インチに変更するための協議体を運営しています。サムスン電子もこれに参画しています。

従来の6インチの同一フォトマスクを使用する場合、High-NA EUVによる微細な露光は可能ですが、一度に露光できる領域は従来のEUVよりも縮小するため、大型チップの生産時に生産性が低下する恐れがあるという問題があります。これに対し、コンソーシアムはマスクサイズを12インチに拡大し、生産性を高め、製造コストを削減する方策を推進しています。 関連企業は、12インチフォトマスクの開発や装置・素材技術の確保、関連規格の策定などに協力する予定です。