銘柄レポート

「ここまで下落したのに、むしろチャンス?」…サムスン電子を買うべき理由

KB証券のレポート 「中国の半導体分野での追い上げへの懸念は過大」 「保有比率を拡大する好機として活用すべきです」

Kim Kyung-eun
2026-10-15 08:30:37
[イーデイリーKim Kyung-eun 記者] KB証券は15日、中国のメモリ半導体メーカーによる技術追撃に対する市場の懸念は過度であるとし、最近のSamsungElectronics(005930) の株価調整を保有比率拡大の好機として活用すべきだと分析しました。

(写真=キム・テヒョン記者)


KB証券のリサーチ本部長であるキム・ドンウォン氏は同日の報告書で、「中国の技術追撃に対する市場の懸念は過度です」とし、「中国・創信メモリテクノロジー(CXMT)の追撃速度よりも、サムスン電子の技術革新の速度と高い参入障壁に注目すべき時期です」と述べました。

KB証券によると、サムスン電子とCXMTのDRAMプロセス技術の格差は、量産時期を基準に5~7年に達します。CXMTの現在の主力プロセスである1zの場合、サムスン電子はすでに2019年9月から本格的な量産を開始しています。CXMTが先月量産に着手した1aプロセスについても、サムスン電子は2021年10月から量産を開始しており、約5年の時間差が存在します。

キム本部長は、「サムスン電子は、最先端プロセスの量産経験や歩留まりの安定化、顧客企業の認証などで蓄積された競争力を確保している」とし、「中国による技術格差の縮小の可能性は限定的であると見込まれる」と展望しました。

最近、CXMTが公開した次世代DRAM技術についても、商業的な競争力の確保とは別問題であるとの評価です。CXMTは最近、従来のDRAMよりも集積度を高められる4F²構造のDRAM技術を公開しました。実際の商用化には、性能や歩留まり、コスト競争力、顧客企業の認証、および大量量産能力などに対する検証が必要であるとの説明です。

さらに、4F²構造のDRAMは、まだ商業的な需要が形成されていない市場です。サムスン電子はすでに2023年に4F²ベースの垂直チャネルトランジスタの実現技術を発表していますが、関連市場は現在まで形成されていない状態です。中国企業の新技術公開を、すぐにサムスン電子に対する競争上の脅威と解釈するのは難しいという意味です。

キム本部長は、「メモリ半導体の競争力は、単なる新プロセスの開発ではなく、安定した大量量産と歩留まりの確保、および顧客企業の認証能力によって決定される」とし、「CMXTが既存プロセスの技術的完成度を高めている間、サムスン電子は次世代の最先端プロセスとHBMを中心に技術の高度化を続けている」と強調しました。

最近の株価下落により、サムスン電子のバリュエーション(企業価値に対する株価水準)の魅力も高まったと評価しました。サムスン電子の株価は今月に入り16%下落し、株価収益率(PER)3倍水準という歴史的な割安局面に入りました。

キム本部長は、「今後、配当の拡大と自社株買いを並行して行う株主還元政策が期待される」とし、「現在の株価調整は、サムスン電子の企業価値上昇の潜在力を考慮すると、保有比率を拡大する好機である」と述べました。

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