[イーデイリーJAEMIN SONG 記者] 人工知能（AI）データセンターの拡大を背景に、世界のメモリ市場におけるDRAMの比重がさらに高まると見込まれています。高帯域幅メモリ（HBM）の生産拡大に伴う一般DRAMの供給制約も相まって、サムスン電子とSKハイニックスのスーパーサイクルが長期化する可能性があるとの観測が出ています。

10日、グローバル投資銀行UBSによると、来年のAIデータセンター向けメモリ支出において、DRAMが占める割合は74％となり、今年の予測値である68％より6ポイント高くなると推定されています。 サーバー用DDRの割合は55％から57％へ、HBMは13％から17％へと、それぞれ拡大すると予想されます。一方、NANDフラッシュは32％から26％へと縮小する見通しです。

注目すべき点は、HBMだけでなく、サーバー用DDRの支出割合も増加するということです。来年のDDRの割合は57％となり、HBM（17％）の3倍を上回ると予想されます。これは、AIアクセラレータに搭載されるHBMとは別に、中央処理装置（CPU）ベースのサーバーで使用される大容量DDR5の需要が増加しているためです。

これは、AIデータセンターにおいて、データを保存することよりも、演算過程で素早く読み込んで処理する能力が重要になってきているためです。NANDは大容量データの保存に主に使用されますが、DRAMはCPUやグラフィックス処理装置（GPU）が演算に必要なデータを即座に活用できるよう支援します。特に、AIモデルの規模が大きくなり、リアルタイム推論サービスが拡大するにつれて、高速・大容量メモリの需要が増加しています。 NANDもAIデータ保存の需要の恩恵を受けていますが、DRAMへの支出がさらに急速に増加している構造となっています。

これに加え、HBMの生産拡大が一般DRAMの供給を制約しています。HBMは一般DRAMと生産設備を共有しているため、生産比率が上昇すればするほど、サーバー用DDRなどに割り当てられる生産能力が減少する可能性があります。サムスン電子は、業界全体のDRAMウェーハ生産能力に占めるHBMの割合が、今年の約20％から来年は30％水準まで拡大すると見込んでいます。 需要の増加と供給の制約が重なり、DRAMの需給は逼迫した状況が続く可能性が高いです。

市場調査会社のトレンドフォースは、最近の報告書で来年のDRAM市場について、「需要の増加ペースが供給拡大のペースを上回るだろう」と指摘しました。一方、NANDについては、下半期に新規生産能力が稼働することで、供給状況が相対的に改善されると見込んでいます。

サムスン電子とSKハイニックスは、こうした変化に合わせて高付加価値DRAM事業に注力しています。サムスン電子は、HBM4の供給拡大とともに、高速DDR5などのサーバー向け製品の販売を強化しています。第3四半期のDRAM平均販売価格（ASP）が前四半期比で約20％上昇した中、高付加価値製品の割合を拡大することで、収益性の改善を加速させる見通しです。

SKハイニックスは、HBMの競争力を基盤に、サーバー用DDR5の供給を拡大しています。同社は第3四半期の業績発表において、サーバー用DDR5の販売増加がDRAMの業績を牽引したと説明しました。次世代の1cプロセスへの移行を通じて、DDR5や低消費電力のサーバー用メモリであるSOCAMMなど、高付加価値製品の供給も増やす計画です。

業界では、HBMとサーバー用DRAMの同時成長により、かつてPCやスマートフォンの需要に左右されていたメモリ市況の構造が変わりつつあるとの分析が出ています。新規設備投資が実際の供給増加につながるまでにはタイムラグがあるため、供給者優位の市場環境も当面は続くものと見られます。

業界のある関係者は、「HBMの生産拡大が一般DRAMの供給を制約している状況下で、高付加価値製品の比重が高いサムスン電子とSKハイニックスの業績改善の流れは、当面続く可能性が高い」と述べました。