[イーデイリーSOYEON KIM 記者] サムスン電子が、台湾・台北で開催された「セミコン・台湾2026」で、いわゆる「CUBE」戦略を公開しました。業界最大規模の生産能力を武器に、人工知能（AI）メモリ市場での主導権強化を加速させているのです。

1日、業界によると、サムスン電子のチェ・ジャンソク半導体（DS）部門メモリ事業部商品企画チーム長（常務）は、「セミコン・台湾2026」において、メモリ技術の限界を克服するための「CUBE」戦略を提示しました。

CUBE戦略とは、△Capacity（容量）△Utilization（最適化）△Bandwidth（帯域幅）△Efficiency（電力・熱効率）という4大技術力を高度化し、メモリ技術の競争力を強化するというビジョンを指します。 チェ常務は、「3Dは単に積み重ねるのではなく、各層をどのように活用するかが鍵です」とし、「サムスン電子は、データ処理の遅延を減らすために、ロジックとメモリの配置を最適化しています」と説明しました。

セミコン・台湾は、半導体の設計・製造からテスト・パッケージングに至るまで、最新技術が紹介される国際半導体展示会であり、国際半導体機器材料協会（SEMI）が主催しています。今年のイベントは1日から、主要なフォーラムや基調講演を皮切りに、本格的な日程に入りました。

チェ常務は、「3D統合でAI時代を牽引する」をテーマに、サムスン電子の次世代メモリであるzHBMやzNAND-O、3Dパッケージング技術などを紹介しました。代表的な例として、zHBMは、AIアクセラレータの横に高帯域幅メモリ（HBM）を配置する従来の方式から一歩進み、AIアクセラレータの上部にHBMを垂直に積層する技術です。 グラフィックス処理装置（GPU）の上にHBMを直接積み重ねる構造を通じて、AIアクセラレータとメモリ間のデータ移動距離を短縮し、これを基に帯域幅と電力効率を高めることが核心です。

zHBMは、HBM4Eと比較して、△性能8倍、△ワット当たりの性能3倍の向上、△熱抵抗75～90％の低減を目標としています。サムスン電子は、HBM2からHBM4E、HBM5に至るまで、世代ごとに容量や帯域幅、電力効率、熱管理技術を継続的に高度化してきました。AI演算需要の増加に合わせて、技術開発のスピードを加速させています。

チェ常務は、「ダイ間の距離を画期的に短縮することで、垂直の高速道路を形成し、帯域幅を飛躍的に改善できる」とし、「3Dの最終目標は、単一ビットのデータを移動させるのに必要なエネルギーを削減することだ」と述べました。続いて、「サムスン電子は構造的な効率性を高め、ワット当たりの性能を最大化している」と強調しました。

サムスン電子は、業界最大の生産能力を基盤に、メモリ市場での主導権強化にも拍車をかけています。DRAMとNANDフラッシュ市場の両方で世界1位を占め、メモリ市場をリードしています。市場調査機関のカウンターポイント・リサーチによると、サムスン電子は今年第2四半期の世界DRAM市場において、売上高ベースで39％のシェアを獲得し、1位を記録しました。SKハイニックスとマイクロンは、それぞれ26％、25％でそれに続きました。 NANDフラッシュ市場でも、サムスン電子は29.3％のシェアで1位を占め、今年の第2四半期の売上高は約230億6000万ドルを記録しました。

大規模な生産能力は、サムスン電子がメモリ市場で競争力を維持するための核心的な基盤として挙げられています。市場調査機関のオムディアは、サムスン電子の今年のDRAM生産能力を、300mmウェーハ基準で年間約817万5000枚と予測しました。 SKハイニックス（約666万枚）、マイクロン（約360万枚）を大きく上回る規模です。NANDフラッシュについても、サムスン電子の今年のウェーハ生産量は約477万枚となり、SKハイニックス・ソリダイム（約279万枚）を大きく上回ると予想されています。