[イーデイリーJAEMIN SONG 記者] DBハイテックは、8インチウェーハをベースとした1200ボルト（V）の炭化ケイ素（SiC）パワー半導体プロセスの信頼性検証を完了しました。顧客企業の製品開発を支援し、2027年に量産体制を構築して、次世代パワー半導体ファウンドリ市場に参入します。

DBハイテックは、8インチ1200V SiC MOSFETプロセスの信頼性を確保し、顧客企業にプロセス設計キット（PDK）を提供すると発表しました。

SiCは、従来のシリコンよりも高温・高電圧環境下での電力損失が少なく、電気自動車や再生可能エネルギー設備、産業用電力機器などに使用される素材です。現在は6インチウェハーが主に使用されていますが、ウェハー1枚からより多くのチップを生産し、原価を削減できる8インチプロセスへの転換が進められています。

DBハイテックは、8インチウェーハで高出力MOSFETを生産できるようプロセスを開発しました。同社は、設計や製造から電気的特性評価、信頼性検証までをサポートする8インチ1200V SiCファウンドリーの一貫プロセスを世界で初めて構築したと説明しました。

顧客企業の設計参入障壁を下げるため、自社開発した第1・第2世代の1200V SiC MOSFET PDKも供給します。PDKには、半導体設計に必要なプロセスルールや素子特性、設計・検証用データなどが含まれます。

顧客企業はPDKを活用し、DBハイテックのプロセスに適した製品を設計し、試作品の製作を前倒しすることができます。DBハイテックは、初期開発の負担を軽減することで、製品開発期間を1年以上短縮できると見込んでいます。

現在提供されている第2世代プロセスは、ゲート電圧18Vの条件下で、比抵抗2.5mΩ・㎠以下、しきい値電圧3V以上の特性を実現しました。電力半導体が高電圧環境で安定して動作するかどうかを確認する信頼性検証も完了しました。

来る11月には、性能を向上させた第3世代PDKを公開する予定です。第3世代プロセスでは、同じゲート電圧条件下で抵抗率を2.3mΩ・㎠以下に低減することを目標としています。抵抗率が低いほど、電力損失や発熱を抑えるのに有利です。

短絡が発生した際、素子が損傷することなく耐えられる時間である短絡耐量（SCWT）は、2.5マイクロ秒（μs）以上を目標に検証を進めています。検証が完了次第、顧客企業に第3世代PDKを提供する計画です。

DBハイテックは、今年第3四半期中に、長年にわたり協力してきた既存顧客を対象にプロセスを優先的に提供し、2027年第2四半期からはすべての顧客へサービスを拡大する予定です。同年、8インチSiC製品の本格的な量産体制の構築を目指しています。

DBハイテックの関係者は、「今回の検証により、8インチSiCファウンドリサービスに必要な中核プロセス技術と量産基盤を確保しました」とし、「2027年の量産に向けて滞りなく準備を進め、次世代パワー半導体ファウンドリの競争力を拡大していきます」と述べました。