[イーデイリーJAEMIN SONG 記者] SKハイニックスが、次世代広帯域メモリ（HBM）であるHBM5と、台湾TSMCの最先端パッケージング技術を共同で検証した成果が認められ、2年連続で「今年のパートナー」に選定されました。

SKハイニックスは28日、去る23日（現地時間）に米国カリフォルニア州サンタクララで開催された「TSMCオープン・イノベーション・プラットフォーム（OIP）カンファレンス」に参加し、次世代人工知能（AI）メモリ製品と開発戦略を紹介したと明らかにしました。

OIPは、TSMCが半導体エコシステムの企業と技術を共同開発し、協力するために運営するオープンイノベーションプラットフォームです。SKハイニックスは2024年から関連フォーラムに参加し、TSMCと共同開発したAIメモリ技術を公開しています。

SKハイニックスは今回のイベントで、TSMCの2.5次元先端パッケージング技術である「チップ・オン・ウェーハ・オン・サブストレート（CoWoS）」を基盤にHBM5を検証した協業の成果が認められ、「3Dファブリック-HBM統合」部門の「今年のパートナー賞」を受賞しました。昨年に続き、2年連続の受賞となります。

HBMは世代が上がるにつれて、積層段数とデータ処理速度が高まります。性能を実際のAIアクセラレータで実現するには、HBMをグラフィックス処理装置（GPU）などと1つの基板に接続する最先端のパッケージング技術も併せて開発する必要があります。SKハイニックスとTSMCは、HBM5の開発初期から、パッケージングの互換性と性能を共同で検証してきました。

展示会では、「大規模な知能を支えるメモリ」をテーマに、HBMからサーバー用DRAM、企業向けソリッドステートドライブ（eSSD）に至るまで、AIインフラに必要な製品群を披露しました。

特に、NVIDIAの次世代スーパーチップ「Vera Rubin」に、SKハイニックスの12層36ギガバイト（GB）HBM4と96GB SOCAMM2が搭載された様子を公開しました。 HBM4は、ルビンGPU周辺で大規模な演算に必要なデータを高速に伝送し、低消費電力のDRAMベースのAIサーバー用メモリモジュールであるSOCAMM2は、ベラのCPUのメインメモリとしての役割を担います。

その周辺には、12層48GBのHBM4Eや16層48GBのHBM4、12層36GBのHBM3E、192GBのSOCAMM2など、次世代製品も併せて展示されました。 サーバー用DRAM製品としては、AI作業に合わせた256GB 3DS RDIMMや、高帯域幅の128GB MRDIMM、10ナノ級第6世代（1c）プロセスを採用した64GB RDIMMなどを披露しました。

企業向けSSDの展示スペースには、ダイレクト液体冷却（DLC）に対応した「PEB210 E1.S」や、SKハイニックス初のクアッドレベルセル（QLC）ベースのeSSDである「PS1101 E3.S」などが展示されました。QLCは、1つのNANDフラッシュセルに4ビットを格納することで、同じ面積で容量を増やすことができる技術です。

技術発表を担当したSKハイニックスのPCIe設計担当シニアマネージャー、パク・デシク氏は、AIインフラの拡大に伴い、PCI Express（PCIe）ベースのeSSD市場が2026年の509エクサバイト（EB）から2030年には1933EBへと、約3.8倍に成長すると見通しました。 大容量・高密度製品や冷却効率に対する需要が高まるにつれ、E1.SおよびE3規格の需要も急速に増加すると見込んでいます。

SKハイニックスは、PCIe第6・7世代製品から、従来の単一SSDコントローラーを機能別チップに分割した「チップレット」ベースの次世代ソリューションを準備しています。各チップレットを汎用チップレットインターフェースであるUCIeで接続し、開発期間を短縮するとともに、容量の拡張と電力の最適化を推進する計画です。

SKハイニックスは、「TSMC OIPカンファレンスで2年連続『今年のパートナー賞』を受賞し、両社が築き上げてきた協力の成果を改めて確認しました」とし、「多様なパートナーと緊密に協力し、AI時代に必要とされるメモリソリューションを創り上げていきます」と述べました。