[イーデイリーSOYEON KIM 記者] サムスン電子が、世界のDRAM市場で首位を固めました。第2四半期の出荷量を大幅に増やし、市場シェアを伸ばした一方で、2位のSKハイニックスのシェアは低下し、両社の差が広がりました。マイクロンは出荷量の拡大を背景に、SKハイニックスを猛追しました。
7日、市場調査会社トレンドフォースによると、今年第2四半期の世界DRAM市場の売上高は1547億3000万ドル(約208兆ウォン)で、前四半期比59.5%増加しました。大規模言語モデル(LLM)の学習や人工知能(AI)推論の普及により、高帯域幅メモリ(HBM)をはじめとするメモリ需要が拡大した影響です。
その中で、サムスン電子の成長が際立っていました。サムスン電子は第2四半期のDRAM売上高として609億8000万ドル(約82兆ウォン)を記録しました。前四半期比で63.4%増加した規模であり、メモリ大手3社の中で出荷量の増加幅が最も大きかったです。
市場シェアも拡大しました。サムスン電子の第2四半期のDRAMシェアは39.4%で、第1四半期の38.5%から0.9ポイント上昇しました。市場全体の40%に迫るシェアを確保し、DRAM市場におけるトップの地位をさらに強化しました。サムスン電子は、HBM4の早期量産などを通じて出荷量の拡大に乗り出したものと分析されています。
一方、SKハイニックスは第2四半期の売上高が増加したにもかかわらず、市場シェアは低下しました。SKハイニックスの第2四半期の売上高は385億9000万ドル(約52兆ウォン)で、前四半期比37.9%増加しました。
しかし、市場シェアは28.8%から24.9%へと3.9ポイント低下しました。トレンドフォースは、HBMの出荷比率が高い一方で、平均販売価格(ASP)の上昇幅が限定的だった点を背景として挙げています。
サムスン電子とSKハイニックスのシェア格差は、第1四半期の9.7ポイントから第2四半期には14.5ポイントへと拡大しました。サムスン電子は1位の座を守っただけでなく、2位との差を大きく広げました。
マイクロンの追い上げも激しくなりました。マイクロンは第2四半期に売上高360億ドル(約48兆ウォン)を記録し、前四半期比で65.5%の成長を遂げました。市場シェアも22.4%から23.3%へと上昇し、SKハイニックスとの差を1.6ポイントまで縮めました。
ただし、世界のDRAM市場における出荷量の拡大は、当面の間、限定的となる見通しです。メモリメーカーの在庫が低い水準を維持する中、第2四半期の出荷量の増加幅は大きくなく、第3四半期も供給拡大が制限されると予想されます。
価格の上昇ペースも鈍化する見通しです。トレンドフォースは、第3四半期のDRAM価格が前四半期比で13~18%上昇すると予測しました。一部の需要が高容量製品から低容量製品へシフトしていることや、PC・スマートフォンメーカーがさらなる価格上昇に耐えられなくなっているためです。
トレンドフォースは、2026~2027年にサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンといったメモリ大手3社が最先端プロセスへの移行を加速させ、出荷量の拡大に乗り出すと予想しました。ただし、最先端プロセスへの移行に伴う生産能力の拡大幅は限定的であると見込んでいます。
一方、南亜(ナンヤ)、ウィンボンド、PSMCなどの台湾企業は、成熟プロセス製品に注力することで、メモリ大手3社が相対的に対応しにくい需要を吸収し、成長傾向を維持すると観測されています。
7日、市場調査会社トレンドフォースによると、今年第2四半期の世界DRAM市場の売上高は1547億3000万ドル(約208兆ウォン)で、前四半期比59.5%増加しました。大規模言語モデル(LLM)の学習や人工知能(AI)推論の普及により、高帯域幅メモリ(HBM)をはじめとするメモリ需要が拡大した影響です。
その中で、サムスン電子の成長が際立っていました。サムスン電子は第2四半期のDRAM売上高として609億8000万ドル(約82兆ウォン)を記録しました。前四半期比で63.4%増加した規模であり、メモリ大手3社の中で出荷量の増加幅が最も大きかったです。
市場シェアも拡大しました。サムスン電子の第2四半期のDRAMシェアは39.4%で、第1四半期の38.5%から0.9ポイント上昇しました。市場全体の40%に迫るシェアを確保し、DRAM市場におけるトップの地位をさらに強化しました。サムスン電子は、HBM4の早期量産などを通じて出荷量の拡大に乗り出したものと分析されています。
一方、SKハイニックスは第2四半期の売上高が増加したにもかかわらず、市場シェアは低下しました。SKハイニックスの第2四半期の売上高は385億9000万ドル(約52兆ウォン)で、前四半期比37.9%増加しました。
しかし、市場シェアは28.8%から24.9%へと3.9ポイント低下しました。トレンドフォースは、HBMの出荷比率が高い一方で、平均販売価格(ASP)の上昇幅が限定的だった点を背景として挙げています。
サムスン電子とSKハイニックスのシェア格差は、第1四半期の9.7ポイントから第2四半期には14.5ポイントへと拡大しました。サムスン電子は1位の座を守っただけでなく、2位との差を大きく広げました。
マイクロンの追い上げも激しくなりました。マイクロンは第2四半期に売上高360億ドル(約48兆ウォン)を記録し、前四半期比で65.5%の成長を遂げました。市場シェアも22.4%から23.3%へと上昇し、SKハイニックスとの差を1.6ポイントまで縮めました。
ただし、世界のDRAM市場における出荷量の拡大は、当面の間、限定的となる見通しです。メモリメーカーの在庫が低い水準を維持する中、第2四半期の出荷量の増加幅は大きくなく、第3四半期も供給拡大が制限されると予想されます。
価格の上昇ペースも鈍化する見通しです。トレンドフォースは、第3四半期のDRAM価格が前四半期比で13~18%上昇すると予測しました。一部の需要が高容量製品から低容量製品へシフトしていることや、PC・スマートフォンメーカーがさらなる価格上昇に耐えられなくなっているためです。
トレンドフォースは、2026~2027年にサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンといったメモリ大手3社が最先端プロセスへの移行を加速させ、出荷量の拡大に乗り出すと予想しました。ただし、最先端プロセスへの移行に伴う生産能力の拡大幅は限定的であると見込んでいます。
一方、南亜(ナンヤ)、ウィンボンド、PSMCなどの台湾企業は、成熟プロセス製品に注力することで、メモリ大手3社が相対的に対応しにくい需要を吸収し、成長傾向を維持すると観測されています。