[イーデイリーChoi Oh-hyun 記者] サムスン電子が、世界最大の半導体製造装置メーカーであるASMLと提携し、長年にわたり業界標準として定着してきた6インチのフォトマスクを12インチへと拡大する製造基準の開発に乗り出します。 次世代露光装置である高開口数極紫外線（ハイNA EUV）と12インチマスクを併用し、超微細プロセスの枠組みを変革するというものです。2028年には業界で初めてDRAMの量産にこれを適用する方針です。

サムスン電子は8日、ASMLが主導する「大型マスク・コンソーシアム」に参加すると明らかにしました。 このコンソーシアムは、過去数十年にわたり半導体の露光工程で使用されてきた6インチのフォトマスクを、12インチへと転換するためのものです。半導体製造企業にとって、EUV装置の確保は、技術覇権の核心である超微細プロセスへ参入するための最も重要な条件とされています。SKハイニックスもまた、今回のコンソーシアムへの参加を検討しています。

フォトマスクは、ウェハーに刻む微細回路パターンを収録した精密な型です。露光装置を用いて光により、フォトマスクに収録された回路パターンをウェハーに転写します。 ハイNA EUVは、従来のEUVよりも微細なパターニングが可能ですが、その代わりに同じサイズのフォトマスクを使用した場合、一度に露光できる面積は減少します。半導体業界では、広面積のフォトマスクを使用すれば、回路を一度にウェハーに形成できるため、生産性を向上させ、製造コストを削減できると期待しています。

最近、半導体回路の設計が複雑化するにつれ、ハイNA EUVの導入はロジックプロセスだけでなく、最先端メモリの製造においても不可欠となっています。サムスン電子は、2028年までに最先端DRAMの量産プロセスにハイNA EUVを導入する計画です。2020年に業界で初めてEUVをDRAMの量産に適用した経験を基に、ハイNA EUVについても早期に量産体制を確立するという目標を掲げています。

サムスン電子のチョン・ヨンヒョン副会長は、「AI時代の到来は、半導体産業のパラダイムを変えつつある」とし、「ASMLとの協力を通じて『ネクストAI』技術の基盤を築いていく」と述べました。