[イーデイリーSOYEON KIM 記者] サムスン電子が忠清南道牙山（アサン）の温陽（オンヤン）キャンパスに、次世代高帯域幅メモリ（HBM）の先端パッケージング工場の着工を行い、中核となる生産拠点の構築に本格的に乗り出しました。人工知能（AI）半導体市場での競争が、メモリ性能を超え、先端パッケージング技術と生産能力の確保へと拡大する中、大規模な投資を通じて後工程の競争力強化に拍車をかけている様子です。李在明（イ・ジェミョン）大統領とサムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）会長が直接着工式に出席し、HBM市場での主導権確保に向けた投資の意志を強調しました。
サムスン電子は12日、忠清南道牙山（アサン）の温陽（オンヤン）キャンパスで、李大統領や李会長らが出席する中、最先端パッケージング工場である「温陽5ライン」の起工式を開催しました。これは、従来は汎用メモリの組み立て・検査を担当していた温陽キャンパスを、AI半導体の核心的な生産拠点へと転換するための第一歩です。
李大統領は「本日、私たちが共に手掛けたこの第一歩が、忠清の目覚ましい飛躍を超え、誰にも真似できない『代替不可能な大韓民国』を築くための確固たる礎となることを期待します」と述べ、サムスン電子の役職員や投資企業、忠清圏の市民および地方政府に感謝の意を表しました。 その上で、李大統領は忠清南道と牙山市が許認可期間を3分の1に短縮したことを挙げ、「模範事例」だと評価しました。
イ会長は、「一般半導体の単純な組み立てや検査工程が中心だったこの場所が、AI半導体の心臓部である最先端HBMの拠点へと変貌を遂げるでしょう」と述べ、「湖南圏と嶺南圏のメガプロジェクトも積極的に推進していきます」と強調しました。
今回の投資の核心は、HBMパッケージングの生産能力を先制的に拡大することにあります。HBMは、複数のDRAMを垂直に積層し、微細な通路を通じて接続する高性能メモリです。従来のDRAMとは異なり、積層や接合、検査などの後工程の技術的難易度が高く、製造過程も複雑です。メモリ半導体を生産したとしても、これをHBM製品として完成させるパッケージング能力が裏付けられなければ、最終的な供給量を十分に増やすことは困難です。
李在明大統領が12日、忠清南道牙山（アサン）のサムスン電子温陽（オンヤン）キャンパス建設現場で開かれた忠清圏メガプロジェクトの起工式で、サムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）会長らと共に記念の鍬入れを行っています。（左から）朴洙鉉（パク・スヒョン）忠清南道知事、金正官（キム・ジョングァン）産業通商部長官、李在明大統領、李在鎔会長（写真＝聯合ニュース）
HBM市場の競争もまた、半導体自体の性能に加え、最先端のパッケージング技術と生産能力の確保によって拡大しています。 サムスン電子は、忠清圏に最先端のパッケージング拠点を設立し、将来の半導体生産基盤の拡大に力を注ぐことで、HBMの主導権確保に向けた勝負に出たとの評価です。特に、HBM4やHBM4Eなどの次世代製品へと進化するにつれ、パッケージング技術の重要性はさらに高まります。積層構造が複雑化する上、高性能AIアクセラレータの要求に応えるため、データ処理速度と電力効率、発熱などを同時に管理しなければなりません。
サムスン電子が温陽（オンヤン）第5ラインの稼働日程を当初の計画より1年前倒しにしたのも、こうした市場の変化に対応するための戦略です。サムスン電子は約6兆ウォンを投じ、3階建て、9400坪規模のクリーンルームを備えた新工場を建設し、2028年6月から稼働させる計画です。現在、基礎工事が進行中で、進捗率は4.9％です。 新ラインでは、次世代HBM4Eなどを本格的に生産する予定です。
中長期的には、オンヤンキャンパスに工場建設費6兆ウォンと最先端設備への投資費40兆ウォンなど、計46兆ウォンを投入し、HBM生産ライン5本を構築します。サムスン電子はこれを含め、天安・オンヤンなど忠清圏の半導体生産施設に計60兆ウォンを投資する計画です。
李在明大統領は12日、忠清南道牙山（アサン）にあるサムスン電子温陽キャンパスの建設現場で開かれた忠清圏メガプロジェクトの着工式に出席し、サムスン電子の李在鎔会長と共に、プロジェクトの進捗状況を収めた広報映像をご覧になっています。（写真＝聯合ニュース）
サムスン電子は、半導体の後工程生産体制を再編します。今後、温陽キャンパスの先端HBMパッケージング機能を大幅に拡大し、天安の既存の後工程能力と連携させ、忠清圏全体を高付加価値半導体生産拠点として育成するという構想です。
李会長が最先端パッケージング分野を直接指揮している点も注目されます。李会長は去る1日、日本の横浜にある最先端パッケージング研究拠点を視察しました。日本では次世代パッケージング素材とプロセス技術の開発状況を点検し、韓国国内ではこれを支える量産基盤の拡大に乗り出したのです。次世代HBM競争において、技術開発と生産能力の確保を同時に推進するという意志の表れと解釈されます。
サムスングループは、半導体だけでなく、ディスプレイ、半導体パッケージ基板、バッテリーなど、主要な電子系列会社の投資を忠清圏に集中させる方針です。総投資規模だけで144兆ウォンに達します。AI産業の成長に必要な核心部品の生産基盤を一つの地域に集積させ、技術競争力とサプライチェーン対応力を高めるための戦略です。 サムスンディスプレイは、牙山（アサン）・天安（チョナン）地域に計67兆ウォンを投資します。先月着工した牙山のA7ラインには5兆9000億ウォンを投入し、折りたたみ式スマートフォンやノートパソコン、タブレット向けの有機EL（OLED）生産施設を構築します。2029年下半期の量産開始を目指しています。
サムスン電機も世宗に、AIサーバー用高性能パッケージ基板の生産施設を拡充します。先月、新工場の建設に着手し、4兆3000億ウォンを投入して2028年9月に量産を開始する計画です。サムスンSDIもまた、天安に計9兆ウォンを投資し、次世代バッテリーの生産・開発基盤を強化します。
サムスン電子は12日、忠清南道牙山（アサン）の温陽（オンヤン）キャンパスで、李大統領や李会長らが出席する中、最先端パッケージング工場である「温陽5ライン」の起工式を開催しました。これは、従来は汎用メモリの組み立て・検査を担当していた温陽キャンパスを、AI半導体の核心的な生産拠点へと転換するための第一歩です。
李大統領は「本日、私たちが共に手掛けたこの第一歩が、忠清の目覚ましい飛躍を超え、誰にも真似できない『代替不可能な大韓民国』を築くための確固たる礎となることを期待します」と述べ、サムスン電子の役職員や投資企業、忠清圏の市民および地方政府に感謝の意を表しました。 その上で、李大統領は忠清南道と牙山市が許認可期間を3分の1に短縮したことを挙げ、「模範事例」だと評価しました。
イ会長は、「一般半導体の単純な組み立てや検査工程が中心だったこの場所が、AI半導体の心臓部である最先端HBMの拠点へと変貌を遂げるでしょう」と述べ、「湖南圏と嶺南圏のメガプロジェクトも積極的に推進していきます」と強調しました。
今回の投資の核心は、HBMパッケージングの生産能力を先制的に拡大することにあります。HBMは、複数のDRAMを垂直に積層し、微細な通路を通じて接続する高性能メモリです。従来のDRAMとは異なり、積層や接合、検査などの後工程の技術的難易度が高く、製造過程も複雑です。メモリ半導体を生産したとしても、これをHBM製品として完成させるパッケージング能力が裏付けられなければ、最終的な供給量を十分に増やすことは困難です。
HBM市場の競争もまた、半導体自体の性能に加え、最先端のパッケージング技術と生産能力の確保によって拡大しています。 サムスン電子は、忠清圏に最先端のパッケージング拠点を設立し、将来の半導体生産基盤の拡大に力を注ぐことで、HBMの主導権確保に向けた勝負に出たとの評価です。特に、HBM4やHBM4Eなどの次世代製品へと進化するにつれ、パッケージング技術の重要性はさらに高まります。積層構造が複雑化する上、高性能AIアクセラレータの要求に応えるため、データ処理速度と電力効率、発熱などを同時に管理しなければなりません。
サムスン電子が温陽（オンヤン）第5ラインの稼働日程を当初の計画より1年前倒しにしたのも、こうした市場の変化に対応するための戦略です。サムスン電子は約6兆ウォンを投じ、3階建て、9400坪規模のクリーンルームを備えた新工場を建設し、2028年6月から稼働させる計画です。現在、基礎工事が進行中で、進捗率は4.9％です。 新ラインでは、次世代HBM4Eなどを本格的に生産する予定です。
中長期的には、オンヤンキャンパスに工場建設費6兆ウォンと最先端設備への投資費40兆ウォンなど、計46兆ウォンを投入し、HBM生産ライン5本を構築します。サムスン電子はこれを含め、天安・オンヤンなど忠清圏の半導体生産施設に計60兆ウォンを投資する計画です。
サムスン電子は、半導体の後工程生産体制を再編します。今後、温陽キャンパスの先端HBMパッケージング機能を大幅に拡大し、天安の既存の後工程能力と連携させ、忠清圏全体を高付加価値半導体生産拠点として育成するという構想です。
李会長が最先端パッケージング分野を直接指揮している点も注目されます。李会長は去る1日、日本の横浜にある最先端パッケージング研究拠点を視察しました。日本では次世代パッケージング素材とプロセス技術の開発状況を点検し、韓国国内ではこれを支える量産基盤の拡大に乗り出したのです。次世代HBM競争において、技術開発と生産能力の確保を同時に推進するという意志の表れと解釈されます。
サムスングループは、半導体だけでなく、ディスプレイ、半導体パッケージ基板、バッテリーなど、主要な電子系列会社の投資を忠清圏に集中させる方針です。総投資規模だけで144兆ウォンに達します。AI産業の成長に必要な核心部品の生産基盤を一つの地域に集積させ、技術競争力とサプライチェーン対応力を高めるための戦略です。 サムスンディスプレイは、牙山（アサン）・天安（チョナン）地域に計67兆ウォンを投資します。先月着工した牙山のA7ラインには5兆9000億ウォンを投入し、折りたたみ式スマートフォンやノートパソコン、タブレット向けの有機EL（OLED）生産施設を構築します。2029年下半期の量産開始を目指しています。
サムスン電機も世宗に、AIサーバー用高性能パッケージ基板の生産施設を拡充します。先月、新工場の建設に着手し、4兆3000億ウォンを投入して2028年9月に量産を開始する計画です。サムスンSDIもまた、天安に計9兆ウォンを投資し、次世代バッテリーの生産・開発基盤を強化します。
