[イーデイリーJAEMIN SONG 記者] SKハイニックスは、人工知能（AI）時代に必要な高速メモリインターフェースや次世代電極技術など、産学連携による研究成果を発掘し、表彰しました。

SKハイニックスは16日、京畿道利川キャンパスで「2026年産学研究課題優秀発明授賞式」を開催したと発表しました。昨年出願された産学特許26件を審査し、最優秀賞1件、優秀賞1件、奨励賞3件など、計5件を選定しました。

式典には、チャ・ソンヨン未来技術研究院長、チェ・ヒソク法務・特許部門長、キム・ジェボム研究開発（R&D）戦略担当、キム・ヨンス特許担当など、同社の技術・特許部門の主要役員や実務陣が出席しました。

産学研究課題優秀発明授賞式は、大学と共同で実施した研究のうち、技術的な成果が顕著で特許価値の高い発明を奨励するため、2013年から毎年開催されています。

最優秀賞は、ソウル大学のチェ・ウソク教授による「次世代多レベル信号伝送のための回路設計」に関する特許が受賞しました。これは、演算チップとメモリの間でデータを高速かつ低消費電力で伝送しつつ、高速動作時に発生する電源ノイズを低減する技術です。

研究チームは、3段階の電圧信号でデータを送信する「PAM3」方式において、回路設計を改善し、データ伝送の安定性を高めました。実測を通じて、従来の方式よりも安定した伝送性能を確認しており、関連特許はSKハイニックスと共同で出願しました。

優秀賞には、延世大学のキム・ヒョンジュン教授による次世代メモリ用電極材料および素子特性制御技術が選出されました。これは、新しい素材や追加プロセスを導入することなく、単一のプロセス変数を調整することで、電極や素子の特性を変えることができる技術です。プロセス条件ごとの物性や素子特性を定量化し、実際の製品開発に適用できる完成度を備えているとの評価を受けました。

奨励賞は、ソウル大学のファン・チョルソン教授による垂直型SOMセル材料の成膜用高温原子層堆積・化学気相堆積（ALD・CVD）プロセス、ソウル科学技術大学のチェ・ビョンジュン教授による次世代メモリ用高温ALD・CVD前駆体およびプロセス、漢陽大学のハン・ジェドク教授によるUFS 5.0および次世代M-PHY高速インターフェース回路関連の特許に授与されました。

SKハイニックスのチャ・ソンヨン未来技術研究院長は、「産学協力によって発掘された優れた特許が、国内半導体産業の技術競争力を高めることに寄与するだろう」とし、「挑戦的で革新的な研究が活発に行われるよう、引き続き支援していく」と述べました。