[イーデイリーPark Jung-Soo 記者] 未来アセット証券は26日、SamsungElectronics(005930)について、最近の株価下落はマクロ経済の不確実性に対する過剰反応であるとして、投資判断「買い」と目標株価37万ウォンを維持しました。去る24日の終値は25万7000ウォンで、上昇余地は44.0%です。
未来アセット証券のキム・ヨンゴン研究員は、「過去最大規模の株主還元にもかかわらず、マクロ経済の不確実性に対する懸念から株価が過度に反応している」とし、「現在の株価基準で、12ヶ月先行き株価純資産倍率(PBR)と株価収益率(PER)はそれぞれ1.7倍、4.3倍となり、人工知能(AI)サイクル以前の水準まで低下した」と分析しました。 さらに、「営業環境や業界の見通しにおける有意な変化は限定的だ」と強調しました。
特に、大規模な株主還元が株価の下値を支えると見ました。サムスン電子は去る21日、今年90兆~110兆ウォン規模の株主還元を公表しました。第3四半期中に約30兆ウォンの現金配当を実施し、残額については来年1月の取締役会で確定する予定です。 去る24日の終値基準で、今年の最大配当利回りは普通株で8.3%、優先株で11.0%に達します。
業績見通しも維持しました。未来アセット証券は、サムスン電子の今年第3四半期および第4四半期の営業利益を、それぞれ120兆ウォン、126兆ウォンと予想しました。来年の年間営業利益の見通しは559兆ウォンです。 2028年までDRAMの需給が逼迫した状況が続く中、高帯域幅メモリ(HBM)の価格引き上げを中心に、DRAMの平均販売価格(ASP)が今年の第3四半期に15%、第4四半期に5%、来年には22%上昇すると見込んでいます。売上高の半分以上が長期供給契約(LTA)で確保されているため、業績の変動性も低くなっているという分析です。
中国発のメモリ供給過剰への懸念も限定的であると評価しました。 未来資産証券が去る17~22日、中国の現地半導体企業7社を視察した結果、中国のAIインフラ需要が急速に増加していることが判明しました。需要の主体が政府補助金からクラウドサービス事業者(CSP)やAIモデル企業の実需へと移行しており、CSPの設備投資計画も相次いで上方修正されているとの説明です。中国製AIアクセラレータの普及も、現地のHBM需要の増加につながっています。
一方、中国のHBM自立のスピードは予想より遅れると見通しました。現地のアクセラレータ企業が予想するHBM3級の自給時期は約2年後であり、急増する需要に自給量が追いついていないという分析です。このため、CXMTによるHBM生産の拡大は避けられませんが、HBMは一般的なDRAMに比べて生産能力(Capa)の浸食率が約4倍に達するため、中国発のDRAM供給過剰の可能性は限定的であると判断しました。
サムスン電子のカスタムHBM技術の競争力も、企業価値の再評価要因として挙げられました。サムスン電子は「Hot Chips 2026」で、カスタムHBMの第3段階ロードマップを公開しました。ベースダイに独自の4ナノメートル(nm)プロセスを適用し、XPUのメモリコントローラーを移行させ、HPBを通じてピーク時の発熱を35%低減させました。 インターポーザーを使わず、XPUの上にメモリを積層する「zHBM」も公開されており、消費電力を約70%削減できるとのことです。
キム研究員は、「zHBMは、6マイクロメートル(μm)以下のピッチのハイブリッドボンディングと、メモリ・システムオンチップ(SoC)の統合設計を前提とする、業界がまだ踏み込んだことのない領域です」とし、「メモリと最先端のファウンドリ、最先端のパッケージングをすべて保有するサムスン電子だけが内製化できる技術です」と評価しました。 さらに、「株主還元が下値を支え、カスタムHBMの技術的優位性が、最終的には企業価値の再評価につながるだろう」と展望しました。
(写真=パン・インゴン記者)
未来アセット証券のキム・ヨンゴン研究員は、「過去最大規模の株主還元にもかかわらず、マクロ経済の不確実性に対する懸念から株価が過度に反応している」とし、「現在の株価基準で、12ヶ月先行き株価純資産倍率(PBR)と株価収益率(PER)はそれぞれ1.7倍、4.3倍となり、人工知能(AI)サイクル以前の水準まで低下した」と分析しました。 さらに、「営業環境や業界の見通しにおける有意な変化は限定的だ」と強調しました。
特に、大規模な株主還元が株価の下値を支えると見ました。サムスン電子は去る21日、今年90兆~110兆ウォン規模の株主還元を公表しました。第3四半期中に約30兆ウォンの現金配当を実施し、残額については来年1月の取締役会で確定する予定です。 去る24日の終値基準で、今年の最大配当利回りは普通株で8.3%、優先株で11.0%に達します。
業績見通しも維持しました。未来アセット証券は、サムスン電子の今年第3四半期および第4四半期の営業利益を、それぞれ120兆ウォン、126兆ウォンと予想しました。来年の年間営業利益の見通しは559兆ウォンです。 2028年までDRAMの需給が逼迫した状況が続く中、高帯域幅メモリ(HBM)の価格引き上げを中心に、DRAMの平均販売価格(ASP)が今年の第3四半期に15%、第4四半期に5%、来年には22%上昇すると見込んでいます。売上高の半分以上が長期供給契約(LTA)で確保されているため、業績の変動性も低くなっているという分析です。
中国発のメモリ供給過剰への懸念も限定的であると評価しました。 未来資産証券が去る17~22日、中国の現地半導体企業7社を視察した結果、中国のAIインフラ需要が急速に増加していることが判明しました。需要の主体が政府補助金からクラウドサービス事業者(CSP)やAIモデル企業の実需へと移行しており、CSPの設備投資計画も相次いで上方修正されているとの説明です。中国製AIアクセラレータの普及も、現地のHBM需要の増加につながっています。
一方、中国のHBM自立のスピードは予想より遅れると見通しました。現地のアクセラレータ企業が予想するHBM3級の自給時期は約2年後であり、急増する需要に自給量が追いついていないという分析です。このため、CXMTによるHBM生産の拡大は避けられませんが、HBMは一般的なDRAMに比べて生産能力(Capa)の浸食率が約4倍に達するため、中国発のDRAM供給過剰の可能性は限定的であると判断しました。
サムスン電子のカスタムHBM技術の競争力も、企業価値の再評価要因として挙げられました。サムスン電子は「Hot Chips 2026」で、カスタムHBMの第3段階ロードマップを公開しました。ベースダイに独自の4ナノメートル(nm)プロセスを適用し、XPUのメモリコントローラーを移行させ、HPBを通じてピーク時の発熱を35%低減させました。 インターポーザーを使わず、XPUの上にメモリを積層する「zHBM」も公開されており、消費電力を約70%削減できるとのことです。
キム研究員は、「zHBMは、6マイクロメートル(μm)以下のピッチのハイブリッドボンディングと、メモリ・システムオンチップ(SoC)の統合設計を前提とする、業界がまだ踏み込んだことのない領域です」とし、「メモリと最先端のファウンドリ、最先端のパッケージングをすべて保有するサムスン電子だけが内製化できる技術です」と評価しました。 さらに、「株主還元が下値を支え、カスタムHBMの技術的優位性が、最終的には企業価値の再評価につながるだろう」と展望しました。