[イーデイリーKwon Oh Seok 記者] IBK投資証券は3日、TOKAI CARBON KOREA CO., LTD(064760)に対し、投資判断「買い」、目標株価28万5000ウォンを提示し、カバレッジを再開すると発表しました。
IBK投資証券のコスダックリサーチセンター長であるイ・ゴンジェ氏は、「中国半導体市場の成長がTCKの顧客基盤の拡大につながり、中長期的な業績成長に肯定的に寄与すると判断されます」と説明しました。
同氏は、「NANDメモリ半導体は、積層段数が高くなるほどエッチング(Etching)工程の回数が増加し、難易度も高まるため、その過程で消費されるSiC(炭化ケイ素)フォーカスリングの使用量も共に増加する」とし、 「現在、NANDメモリ市場は第8世代(236層)から第9世代(286層)へと移行する局面に入っており、長期的には1000層のロードマップが提示されていることから、TCKのSiC需要は単なる業況回復を超えた構造的な成長要因を確保したものと分析されます」と述べました。
前述の構造的な成長は、すでに業績や受注状況によって裏付けられています。TCKの上半期の売上高は1903億ウォンで、前年比26%増加し、SiCの受注残高も第1四半期の819億ウォンから第2四半期には1763億ウォンへと、わずか1四半期で115%急増しました。
イ・センター長は、「HBM(高帯域幅メモリ)は、多数のDRAMを垂直に積み重ねてTSV(シリコン貫通電極)で接続するもので、積層段数が12段、16段と高くなるほど、穴を開けるTSVエッチング工程の難易度が高まります」とし、 「プロセス環境が過酷になれば、使用されるフォーカスリングの素材も、従来のクォーツ(石英)から、高温・プラズマ耐性に優れたSiCへと転換されると予想されます」と分析しました。
その上で、「DRAM分野では、SiCフォーカスリングの浸透がNANDに比べて限定的でしたが、HBM4を契機にTCKの前方市場がHBMまで拡大する可能性が議論されており、市場の関心が高まっています」と補足しました。
さらに、「TCKは世界トップのSiCフォーカスリング企業として、ラムリサーチ、TEL、セメス、AMECなどのグローバルな装置メーカーを主要顧客としています。主要顧客は主に米国、日本、韓国の企業でしたが、AMEC以降、中国企業との供給契約が拡大しています」と付け加えました。
IBK投資証券のコスダックリサーチセンター長であるイ・ゴンジェ氏は、「中国半導体市場の成長がTCKの顧客基盤の拡大につながり、中長期的な業績成長に肯定的に寄与すると判断されます」と説明しました。
同氏は、「NANDメモリ半導体は、積層段数が高くなるほどエッチング(Etching)工程の回数が増加し、難易度も高まるため、その過程で消費されるSiC(炭化ケイ素)フォーカスリングの使用量も共に増加する」とし、 「現在、NANDメモリ市場は第8世代(236層)から第9世代(286層)へと移行する局面に入っており、長期的には1000層のロードマップが提示されていることから、TCKのSiC需要は単なる業況回復を超えた構造的な成長要因を確保したものと分析されます」と述べました。
前述の構造的な成長は、すでに業績や受注状況によって裏付けられています。TCKの上半期の売上高は1903億ウォンで、前年比26%増加し、SiCの受注残高も第1四半期の819億ウォンから第2四半期には1763億ウォンへと、わずか1四半期で115%急増しました。
イ・センター長は、「HBM(高帯域幅メモリ)は、多数のDRAMを垂直に積み重ねてTSV(シリコン貫通電極)で接続するもので、積層段数が12段、16段と高くなるほど、穴を開けるTSVエッチング工程の難易度が高まります」とし、 「プロセス環境が過酷になれば、使用されるフォーカスリングの素材も、従来のクォーツ(石英)から、高温・プラズマ耐性に優れたSiCへと転換されると予想されます」と分析しました。
その上で、「DRAM分野では、SiCフォーカスリングの浸透がNANDに比べて限定的でしたが、HBM4を契機にTCKの前方市場がHBMまで拡大する可能性が議論されており、市場の関心が高まっています」と補足しました。
さらに、「TCKは世界トップのSiCフォーカスリング企業として、ラムリサーチ、TEL、セメス、AMECなどのグローバルな装置メーカーを主要顧客としています。主要顧客は主に米国、日本、韓国の企業でしたが、AMEC以降、中国企業との供給契約が拡大しています」と付け加えました。